專利名稱 一種紅熒烯薄膜自組裝有序圖案化生長制備的方法
申請?zhí)?專利號 CN201510744112.2 專利權(quán)人（第一權(quán)利人） 長春工業(yè)大學(xué)
申請日 2015-11-06 授權(quán)日 2018-02-23
專利類別 授權(quán)發(fā)明 戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)分類 材料化工
技術(shù)主題 自組裝|化學(xué)|大氣層|傳導(dǎo)渠道|半導(dǎo)體
應(yīng)用領(lǐng)域 真空蒸發(fā)鍍覆|濺射鍍覆|離子注入鍍覆
意向價格 具體面議
專利概述 本發(fā)明是一種紅熒烯薄膜自組裝有序圖案化生長制備的方法，即在真空氛圍中，在SiO2層之上沉積紅熒烯層，通過沉積、停歇的多次循環(huán)，實現(xiàn)自組裝排列的孔狀圖案化紅熒烯薄膜，紅熒烯聚集處為半導(dǎo)體的導(dǎo)電溝道部分，而紅熒烯未聚集的孔洞處是不導(dǎo)電部分。從而實現(xiàn)免去光刻的自組裝圖案化生長，達到有序、可控圖案化生長的目的。
圖片資料 一種紅熒烯薄膜自組裝有序圖案化生長制備的方法
合作方式 具體面議
聯(lián)系人 戚梅宇 聯(lián)系電話 13074363281